fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制

• 作者: 倪学文 关旭东 周均铭 宁宝俊 张录 李永康 莫邦燹 贾霖 韩汝琦
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅发射极技术 分子束外延SiGe基区 锗硅异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 353-358
• 页数: 6页
• 分类号: TN321
• 字数: 3354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2001.03.011

摘要

利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合，研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50，基极开路下，收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V，晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周均铭	中国科学院物理研究所	29	95	6.0	8.0
2	莫邦燹	北京大学微电子学研究所	19	111	6.0	10.0
3	倪学文	北京大学微电子学研究所	15	60	5.0	7.0
4	宁宝俊	北京大学微电子学研究所	15	100	5.0	9.0
5	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
6	张录	北京大学微电子学研究所	7	30	4.0	5.0
7	关旭东	北京大学微电子学研究所	3	13	2.0	3.0
8	贾霖	北京大学微电子学研究所	1	7	1.0	1.0
9	李永康	中国科学院物理研究所	3	8	1.0	2.0