沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究

• 作者: 刘静 武瑜 高勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SiGe异质结双极晶体管 沟槽型发射极 发射极电阻
• 年，卷（期）: 2014,（14）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 148503-1-148503-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.148503

摘要

提出了一种沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提高器件的频率特性.结果表明,新结构器件的截止频率和最大振荡频率分别增加至100.2 GHz和134.4 GHz,更重要的是沟槽型发射极结构的引入,在提高器件频率特性的同时,不会降低器件的电流增益,也不会增加结电容,很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中.对沟槽型发射极进行优化设计,改变侧墙高度和侧墙宽度.沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响,频率性能不变；侧墙宽度增加,频率性能降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
3	武瑜	西安理工大学电子工程系	2	4	1.0	2.0