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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. SOC中Data-Path布图设计面临的挑战
    作者： 吴为民 周强 张轶谦 杨长旗 洪先龙 经彤 蔡懿慈 许静宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  785-793
    摘要： 目前所设计的系统级芯片(SOC)包含有多个data-path模块,这使得data-path成为整个G大规模集成电路(GSI)设计中最关键的部分.以往的布图理论及算法在许多方面已不能满足dat...
  • 2. 非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化
    作者： 刁宏伟 孔光临 廖显伯 张世斌 徐艳月 王永谦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  794-799
    摘要： 研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况.用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行...
  • 3. Si(100)衬底上高质量3C-SiC的改良外延生长
    作者： 孙国胜 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王雷 罗木昌 赵万顺
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  800-804
    摘要： 介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)衬底上获得了高质量的3C-SiC外延...
  • 4. Al-Si肖特基势垒诱导的光整流与双光子响应机制
    作者： 刘云龙 周志雄 张晓婷 李海兰 贾刚 陈占国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  805-808
    摘要： 通过观测硅光电二极管的双光子响应和Al/Si肖特基势垒处的光生电压的各向异性,从实验和理论两个方面证实了肖特基势垒所产生的内建电场在硅光电探测器中诱发光整流现象,从而推论硅光电二极管的双光子...
  • 5. 大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管
    作者： 冯小明 刘媛媛 刘斌 方高瞻 王晓薇 肖建伟 蓝永生 谭满清 马骁宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  809-812
    摘要： 设计与制作了大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导激光二极管.器件的Al0.35Ga0.65As波导厚度提高到0.9μm,宽波导会引起高阶模的激射.为了抑制高阶模,Al0.55Ga0...
  • 6. 一种新型的具有简易APFC的SPIC电路
    作者： 叶星宁 成民 杨洪强 韩磊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  813-816
    摘要： 提出了一种新型的具有简易APFC的单片SPIC电路.通过采用集成在SPIC内部的延迟电路,使有APFC电路的总线电压由600V下降为400V.在电路中,采用长沟道的NMOS管来代替大电阻以节...
  • 7. 利用响应表面方法的器件稳健性设计
    作者： 张文俊 杨之廉 谢晓锋 鲁勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  817-824
    摘要： 器件稳健性设计本质上是一个多个目标的优化问题.将实验设计和响应表面方法相结合可用来满足减少所需的TCAD模拟次数的强烈需求.然而对一些非线性问题,RSM模型的误差可能会大到影响设计结果的有效...
  • 8. 衬底温度对直接光CVD SiO2薄膜特性的影响
    作者： 刘玉荣 李观启 杜开瑛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  825-829
    摘要： 采用以低压氙(Xe)气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜.通过椭圆偏振法、红外光谱法、C-V特性法对不同衬底温度下淀积的SiO2薄膜的特性进行...
  • 9. 硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法
    作者： 任天令 刘建设 刘理天 李志坚 王喆垚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  830-834
    摘要： 介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔...
  • 10. CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流
    作者： 何福庆 宋芳 彭秀峰 朱世富 李奇峰 王雪敏 赵北君 金应荣 龙先灌
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  835-839
    摘要： 对具有金属-半导体-金属(MSM)结构的CdSe探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的.因此只有改变正极接...
  • 11. 基于MOEMS技术的一种F-P光开关的设计与制作
    作者： 刘理天 吴霁虹 徐杨 董良 陈兢
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  840-845
    摘要： 研制了一种用于WDM光通信系统的多层介质膜Fabry-Perot腔结构式光开关,面积为1.5mm×1.5mm.光开关采用多层复合膜消除内应力,防止产生过度变形;中心的十字复合梁有利于提高机械...
  • 12. 薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟
    作者： 侯信 吴春亚 杨恢东 熊绍珍 郝云 郭斌 陈有素
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  846-851
    摘要： 设计了一种将薄膜a-SiPIN光敏传感单元与OLED有机发光显示单元合二为一的新型图像传感显示器件;通过对每个单元的分别建模以及叠层器件的串联结构特点,对器件单元像素的电流电压特性进行了模拟...
  • 13. 宽带GaAs三栅MESFET开关模型
    作者： 李拂晓 洪倩 蒋幼泉 郝西萍 陈效建 陈新宇 陈继义
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  852-854
    摘要： 提出一种三栅MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,模型是根据三栅MESFET开关器件的结构,考虑了栅极对微波信号的影响,适用于MMIC开关电路的设计,具有很好的宽带微波特性.器件测试值...
  • 14. 新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器
    作者： 仲涛 傅玉霞 刘楷 朱钧 潘立阳 鲁勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  855-860
    摘要： 提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的BeNOR阵列结构,该结构采用沟道热电子注入进行"写"操作,采用分离电压法负栅压源极F-N隧道效应进行擦除...
  • 15. 一种改进的高分辨精度的CMOS电流型排序电路
    作者： 池保勇 石秉学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  861-866
    摘要： 提出了一种改进的高分辨精度的CMOS电流型排序电路.该电路不需要偏置信号,简化了系统设计.其电路结构简单,便于扩展.利用平均值电路、减法电路、WTA电路和控制电路,可以使该排序电路在大输入电...
  • 16. 模拟大规模电路的快速频域小波配置法
    作者： 周电 曾璇 王健 黄晟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  867-873
    摘要： 提出了一种求解状态方程的方法:频域快速小波配置法.通过将状态方程转入频域求解,并对输出变量直接进行小波展开.这一方法比原有的时域快速小波配置法大大减少了未知变量的数目,从而使计算速度和存储空...
  • 17. 板上芯片固化及热处理过程中表面残余应力的演变
    作者： 孙志国 张群 程兆年 罗乐 蒋玉齐 黄卫东
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  874-880
    摘要： 利用硅压阻传感器实时原位地记录粘接剂固化过程中的应力变化和残余应力的分布状况,以及在热处理过程中应力的演化过程.研究表明,若粘合剂固化后在空气中储存20天,应力将在后续热处理过程中急剧增加;...
  • 18. GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
    作者： 冯志宏 冯淦 孙元平 张宝顺 张泽洪 张秀兰 杨辉 沈晓明 赵德刚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  881-885
    摘要： 研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN...
  • 19. 光致抗蚀剂曝光的虚膜插入模拟技术
    作者： 杨华中 汪蕙 范建兴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  886-891
    摘要： 提出了在各膜层之间插入虚膜的计算方法,导出了相应的光学薄膜传输矩阵.该方法使得膜与膜之间解耦,并便于在计算机上存储和计算薄膜的反射率、透射率以及能流密度.对抗蚀剂曝光的计算结果表明这种技术是...
  • 20. 紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列
    作者： I.K.Sou S.Y.Au 沈大可 葛惟昆 韩高荣
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年8期
    页码:  892-896
    摘要： 基于分子束外延(MBE)生长技术,制备出了新颖的8×8 ZnS肖特基光电二极管阵列,研究了制备该器件的标准光刻,金属沉积,湿化学腐蚀,SiO2绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺.该肖特基光电二...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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