新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器

• 作者: 仲涛 傅玉霞 刘楷 朱钧 潘立阳 鲁勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Flash存贮器 BeNOR 字节擦除 分离电压法 源极串扰
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 855-860
• 页数: 6页
• 分类号: TP333.5
• 字数: 3685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.014

摘要

提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的BeNOR阵列结构,该结构采用沟道热电子注入进行"写"操作,采用分离电压法负栅压源极F-N隧道效应进行擦除.对分离电压法负栅压源极F-N隧道效应擦除的研究表明,采用源极电压为5V,栅极电压为-10V的擦除条件,不仅能很好地控制擦除后的阈值电压,而且当字线宽度小于等于64时,源极电压导致的串扰效应能得到很好的抑制.研究表明该结构具有编程速度高、读取速度高、可靠性高及系统应用灵活的特点,非常适宜于在1M位以下的嵌入式系统中应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱钧	清华大学微电子学研究所	43	464	12.0	20.0
2	鲁勇	清华大学微电子学研究所	10	33	4.0	5.0
3	潘立阳	清华大学微电子学研究所	20	173	5.0	13.0
4	刘楷	清华大学微电子学研究所	3	20	2.0	3.0
5	仲涛	清华大学微电子学研究所	2	4	1.0	2.0
6	傅玉霞	清华大学微电子学研究所	1	0	0.0	0.0