衬底温度对直接光CVD SiO2薄膜特性的影响

• 作者: 刘玉荣 李观启 杜开瑛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直接光CVD SiO2薄膜 C-V特性
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 825-829
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.008

摘要

采用以低压氙(Xe)气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜.通过椭圆偏振法、红外光谱法、C-V特性法对不同衬底温度下淀积的SiO2薄膜的特性进行研究.结果表明: 衬底温度在40～200℃范围内,薄膜的折射率在1.40～1.46之间,在沉积膜的红外光谱中未出现与Si-H、Si-OH相对应的红外吸收峰.SiO2薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大,其最小值可达1.73×1010cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉荣	华南理工大学应用物理系	31	82	6.0	6.0
2	杜开瑛	四川大学物理系	2	39	2.0	2.0
3	李观启	华南理工大学应用物理系	20	44	4.0	5.0