原文服务方: 材料研究与应用       
摘要:
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130 Pa和较高的射频功率70 W下,在高于100 ℃低温下,以0.14 nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,衬底温度对薄膜晶化率、表面的粗糙度和沉积速率影响很大.当衬底温度高于100 ℃时,薄膜由非晶相向晶相转化.随着衬底温度升高,薄膜晶化率提高,沉积速率缓慢增加.当温度超过300 ℃时,薄膜的晶化率降低,薄膜表面的粗糙度增加,均匀性降低.
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文献信息
篇名 衬底温度对纳米晶硅薄膜微结构的影响
来源期刊 材料研究与应用 学科
关键词 纳米晶硅薄膜 衬底温度 微结构 沉积速率
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目 可持续能源材料
研究方向 页码范围 475-478
页数 4页 分类号 TM914.4
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-9981.2008.04.058
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余楚迎 汕头大学物理系 27 321 9.0 17.0
2 邱胜桦 韩山师范学院物理与电子工程系 13 50 4.0 6.0
3 陈城钊 韩山师范学院物理与电子工程系 23 86 5.0 8.0
4 李平 韩山师范学院物理与电子工程系 10 52 5.0 6.0
5 吴燕丹 韩山师范学院物理与电子工程系 18 72 5.0 7.0
6 刘翠青 韩山师范学院物理与电子工程系 26 67 5.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
纳米晶硅薄膜
衬底温度
微结构
沉积速率
研究起点
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44-1638/TG
大16开
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1991-01-01
中文
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