衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响

• 作者: 刘绪伟 卢景霄 杨仕娥 赵剑涛 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: μc-Si:H薄膜 衬底温度 临界温度点 晶化率
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 1287-1290
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.06.028

摘要

采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响.研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-Si:H 薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律,其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动.该实验结果可通过"表面扩散模型"得到合理解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	刘绪伟	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	10	49	4.0	6.0
3	赵剑涛	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	12	64	5.0	7.0
5	陈永生	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	67	484	11.0	19.0
6	杨仕娥	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	68	513	12.0	18.0
7	卢景霄	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0