人工晶体学报期刊
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人工晶体学报

Journal of Synthetic Crystals

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.5027
本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备,以及应用技术和加工等方面的科研成果,同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
期刊荣誉:
1987年获优秀编辑二等奖  1989年获优秀期刊奖  1997年获全国第二届优秀科技期刊奖 
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
出版周期:
月刊
邮编:
100018
地址:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
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  • 作者: 仲维卓 华素坤 张学华 罗豪甦 赫崇君
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1163-1166
    摘要: 本文从晶体中负离子配位多面体结构基元结晶方位及其形变的论点讨论了PMNT晶体工程化畴的形成机理,认为晶体工程化畴的形成是在电场作用下,当A位离子沿着晶体a、b、c轴孔道发生位移导致B八面体中...
  • 作者: 介万奇 刘伟华 徐亚东 王涛
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1180-1184
    摘要: 采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm3的CdZeTe(CZT)晶锭.根据CZT 晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长...
  • 作者: 苑立波 赵芳 赵言诚
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1190-1194
    摘要: 以二维铝圆柱/空气体系声子晶体引入正方柱线缺陷为研究对象,采用平面波法结合超元胞的方法研究了该异质线缺陷的填充系数、旋转等因素对声波导的影响,讨论了异质线缺陷模场分布.结果表明,当f=0.7...
  • 作者: J. Askari 佟玉梅 兰昊 吕反修 宋建华 戴风伟 李彬 李成明 陈广超 黑立富
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1200-1202,1208
    摘要: 在30kW级直流电弧等离子体喷射化学气相沉积(DC Arc Plasma Jet CVD)设备上,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过调节甲烷浓度以及控制其他沉积参数,在Mo衬底上沉积出微/...
  • 作者: 丁毅 何斌 刘国汉 张文理 朱秀红 李志中 郜志华 陈光华 马占洁
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1203-1208
    摘要: 针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微...
  • 作者: 张国辉 李晓兵 滕冰 钟德高 鲁晓东
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1209-1213
    摘要: 测定了不同pH值(2.0~5.5)生长溶液中KDP晶体(KH2PO4)的溶解度曲线,实验结果表明:随着生长溶液pH值的改变,KDP溶解度明显增大.讨论了KDP晶体溶液pH值、溶液组成和溶液饱...
  • 作者: 吴柏昌 夹国华 朱昭捷 李坚富 涂朝阳 游振宇 王燕
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1214-1216,1171
    摘要: 本文是对中红外激光晶体Er:KPb2Cl5的原材料处理合成和晶体生长进行的研究报道.由于KPb2Cl5的合成原料容易水解和氧化,我们设计了合适的方案对原料进行了处理,并成功合成出掺杂的稀土氯...
  • 作者: 刘国勇 张建成 江树涛 沈悦 罗愉
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1222-1226
    摘要: 本文以氧化镉为镉源,硫单质为硫源,油酸为配体,在十八烯体系中合成单分散的CdS纳米颗粒.通过改变油酸的浓度,研究了油酸对颗粒的生长动力学、颗粒尺寸分布以及颗粒浓度的影响.所得到的CdS纳米颗...
  • 作者: 傅广生 周娴 李庆 李春雷 李晓苇 杨少鹏 江晓利 田晓东 范闪闪
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1227-1231
    摘要: 本文采用微波吸收介电谱检测技术,系统研究了甲酸根离子掺杂的立方体卤化银乳剂在35ps脉冲激光作用下所产生的光电子衰减行为,分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应以及光电子衰减特性与掺杂条件的关系.通...
  • 作者: 王桂美 蒋奕雄 陈建中 高绍康
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1232-1237
    摘要: 本文根据经典均匀成核理论,分别研究了硝酸酸沉和盐酸酸沉制备的四钼酸铵过饱和溶液的成核过程,并讨论了过饱和比和温度对成核速率及成核机制的影响.研究结果表明,无论是硝酸酸沉还是盐酸酸沉,四钼酸铵...
  • 作者: 任帅 孙康宁 庞来学
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1238-1241
    摘要: 采用机械合金化和热压烧结制备了TiC/(Ti3Al+ZrO2)复合材料.研究了1550℃烧结温度下,不同Ti3Al含量(10、15、20、25%质量分数)对复合材料烧结及力学性能的影响.结果...
  • 作者: 吴丽军 周德瑞 孙克宁 张乃庆 朱晓东
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1242-1246
    摘要: 镓酸镧基SOFC存在的关键问题是在阳极/电解质界面发生固相反应生成绝缘相,一个根本的解决办法是在阳极与电解质之间制备一层薄且致密的阻挡层La0.3Ce0.7O2-δ(LDC30).本文采用共...
  • 作者: 叶勤 吴奎 唐振方
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1257-1261
    摘要: 采用气体反应磁控溅射的方法在350℃制备了碳掺杂TiO2薄膜,并对薄膜的结构做了表征与分析. XRD结果显示碳掺杂薄膜为锐钛矿结构,有c轴择优生长趋向,较纯二氧化钛薄膜晶胞c轴有伸长,晶粒膨...
  • 作者: 吉晓瑞 宫希亮 张铁臣 杜勇慧 杨大鹏 杨旭昕 苏作朋
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1268-1271
    摘要: 本文在hBN-Li3N体系中添加不同含量的单质硼(B),研究了cBN晶体在富B条件下的生长特性.结果表明,B进入晶体的位置具有明显的区域选择性.B以占据N(111)面内N空位的方式进入晶体,...
  • 作者: 任晓敏 俞重远 刘玉敏 封强
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1272-1276
    摘要: 半导体自组织生长量子点是一种新型半导体材料,它在纳米电子学、光电子学和生命科学中有广泛的应用前景,本文讨论了计算机模拟量子点的生长在材料设计中的重要意义,建立动力学蒙特卡罗二维模型, 通过获...
  • 作者: 严有为 谢鸿 陈哲
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1277-1282
    摘要: 以聚乙二醇(PEG)为改性剂,采用溶液燃烧法成功制备了准球形的PDP用BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)蓝色荧光粉.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM...
  • 作者: 刘辉 李平 胡进勇 魏雨
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1283-1286,1261
    摘要: 本文研究了在沸腾回流条件下以Fe(OH)3凝胶为前驱物、以微量Fe(II)为催化剂制备α-Fe2O3纳米微粒的过程,探讨了各种因素对产物的影响.结果表明:足够快的升温速率(>4℃/min)和...
  • 作者: 夏长泰 徐军 杨秋红 裴广庆 赵绪然
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1307-1312
    摘要: 本文介绍了液相外延技术在制备硅材料、碲镉汞材料、石榴石型单晶材料、III-V族半导体材料和其他一些无机材料方面的应用,简述了液相外延技术近十多年来在系统改善、工艺改进和相关理论研究方面的成果...
  • 作者: 张丽伟 张宇翔 李红菊 杨根 赵剑涛
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1318-1321
    摘要: 本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜.然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下...
  • 作者: 张萌 肖宗湖
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1322-1327,1331
    摘要: 在ZnO发光材料中存在的各种结构缺陷是制约ZnO发光性能的一个关键因素.本文总结了ZnO薄膜材料中可能存在的缺陷类型,并就点缺陷的性质及其对发光性能影响的研究现状做了重点评述.对ZnO薄膜发...
  • 作者: 孙建 张存善 张晓丹 王锐 范红兵 赵颖 魏长春
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1332-1336
    摘要: 本文主要采用超声喷镀法在玻璃衬底上制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜.研究了前驱溶液的不同配比对薄膜电学、结构特性的影响.X射线衍射的结果显示:共掺与本征ZnO具有很相似的结晶特性.霍耳测试...
  • 作者: 尹端沚 徐万帮 汪勇先 许荣辉 贾广强
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1341-1345
    摘要: 用硫脲、聚乙烯吡咯烷酮、L-半胱氨酸水溶液对水热法合成的硫化镉纳米晶进行稳定化处理,发现L-半胱氨酸和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能有效地稳定硫化镉纳米晶,荧光发射强度比处理前增强了五十倍以上....
  • 作者: 卢贵武 夏海瑞 张军 王春雷 韩胜元
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1346-1350
    摘要: 本文使用从头计算平面波赝势法计算了尿素晶体的电子能带结构、线性和非线性光学系数,折射率和倍频系数的计算结果与实验结果基本符合.计算发现尿素晶体中C、N和O元素的2p轨道电子态发生了明显杂化,...
  • 作者: 刘绪伟 卢景霄 吴芳 李红菊 杨根 王子健 王海燕 郜小勇
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1355-1358,1367
    摘要: 在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理.利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,...
  • 作者: 刘文 孙秀明 敬守勇 杨帆 武红磊 罗飞 郑瑞生
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1359-1362
    摘要: 在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一.实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层...
  • 作者: 沙欧 许兴友 钱保华 陈军 马卫兴
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1363-1367
    摘要: 以乙酸锌、正丁胺及水杨醛为原料在甲醇介质中反应,合成得到了席夫碱配合物N-亚水杨基正丁胺锌[Zn(CH3CH2 CH2CH2N=CHC6H4O)2],用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和热重...
  • 作者: 冯文林 吴慧聪 谌家军 邓丽城 高山泉
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1368-1371
    摘要: 采用叠加模型和双旋-轨耦合参量模型,建立了结构参数与EPR参量之间的定量关系;较好地解释了[VO(H2O)5]2+络离子的局域结构和EPR参量;研究结果发现,(NH4)2C4H4O6:VO2...
  • 作者: 么艳平 刘景和 张玉兰 李长江
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1378-1382
    摘要: 本文针对ZnSe多晶的性能,在试验的基础上,研究出一套实用的、行之有效的ZnSe多晶加工工艺,并重点讨论了化学机械抛光工艺.同时对加工后零件的工艺参数、表面质量及透过率的测试,结果表明所采用...
  • 作者: 周健 徐培苍 李卫华 贺香红
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1383-1387
    摘要: Sr2CeO4既是一种有重要应用价值的新型蓝色荧光体,也是一种性能优异的稀土无机发光基质材料.本文结合自己的研究,综述了制备Sr2CeO4的主要方法的研究现状,并提出今后合成研究的设想.
  • 作者: 周志强 康平 张寒贫 张庆海 张振志 成肇安 杜小红 陈建 韦勇
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1388-1391
    摘要: 本文着重介绍了用铱坩埚提拉法生长φ5英寸钽酸锂(LT)晶体的工艺过程,该工艺使用超大尺寸铱坩埚生长LT晶体;设计了稳定并可调节纵向及径向温度梯度的温场;采用了大量程、高灵敏度的上称重技术;运...

人工晶体学报基本信息

刊名 人工晶体学报 主编 张伟儒
曾用名
主办单位 中材人工晶体研究院有限公司  主管单位 中国建筑材料联合会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1000-985X CN 11-2637/O7
邮编 100018 电子邮箱 jtxbbjb@126.com
电话 010-65491290 ;65492963 网址 www.jtxb.cn
地址 北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱

人工晶体学报评价信息

期刊荣誉
1. 1987年获优秀编辑二等奖
2. 1989年获优秀期刊奖
3. 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

人工晶体学报统计分析

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