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人工晶体学报2006年第2期出版文献

出版文献量（篇）

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人工晶体学报

投稿

Journal of Synthetic Crystals

CA JST CSTPCD

影响因子 0.5027

本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。

主办单位：

中材人工晶体研究院有限公司

期刊荣誉：

1987年获优秀编辑二等奖 1989年获优秀期刊奖 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

ISSN：

1000-985X

CN：

11-2637/O7

出版周期：

月刊

邮编：

100018

地址：

北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. 新型光折变晶体Mn:YAlO3的生长与光谱性质研究

作者：何晓明张连翰徐军朱江赵广军

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 209-212

摘要：采用提拉法成功生长了无散射掺杂0.5%原子分数的Mn:YAlO3(Mn:YAP)光折变单晶体,晶体尺寸约为25mm×47mm,原生态晶体呈桔黄色.XRD测试结果表明,Mn:YAP晶体具有与...
2. Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体生长及开裂研究

作者：刘文莉刘景和孙晶张亮王成伟

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 213-216

摘要：本文采用提拉法生长了Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体,并从理论上讨论了热应力、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响,最后给出了掺铬、镱和钬钇铝镓石榴石激光晶体生长的最佳...
3. Co2+,Er3+:Y3Al5O12晶体的生长及其吸收特性

作者：宋词张连翰朱月芹杭寅

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 217-220

摘要：应用中频感应提拉法成功生长出新型的Co2+,Er3+:Y3Al5O12晶体.研究了室温下晶体的吸收光谱性能.结合Er3+:Y3Al5O12晶体的光谱,并利用调Q判据对Co2+,Er3+:Y3...
4. 电子辐照对MgAl2O4尖晶石光学性质的影响

作者：何捷张曰理莫党阳生红

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 228-232

摘要：本文利用1.7 MeV电子辐照MgAl2O4尖晶石后,通过吸收谱测量表明,被电子辐照的尖晶石可产生大量的F型色心缺陷, 而且电子的辐照剂量明显地影响尖晶石的光谱特性.随着电子辐照剂量增加, ...
5. 碳热还原法合成氮化硼纳米管

作者：徐红曹传宝杨子光籍凤秋

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 233-236

摘要：以球磨后的氧化硼和活性碳粉共同作基本原料,加入NaCl和Fe粉填加剂,用简单的碳热还原法, 在1200℃、流动的氨气气氛中成功合成了大量的BN纳米管. 在扫描电镜和透射电镜下观察到纳米管直径...
6. 水热法合成Zn1-xNixO稀磁半导体

作者：刘超张华伟李军林琳窦军红葛世艳郑一博韦志仁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 244-247,223

摘要：本文采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol/L KOH,前驱物为添加适量NiCl2*6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xNixO稀磁半导体晶体.当在...
7. 生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响

作者：侯洵巨楷如张景文徐庆安杨晓东贺永宁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 248-252

摘要：在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的...
8. 有机模板诱导/均相沉淀法对羟基磷灰石(HAP)晶体形貌的控制生长

作者：何前军刘羽张联盟陈伟黄志良

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 261-264

摘要：通过添加不同有机模板剂,采用均相沉淀法,制备了粒状、柱状、晶须状、片状、多孔状羟基磷灰石(HAP).利用TEM及SEM对其晶体形貌进行了表征,结果表明:不同有机模板剂的氢键作用能力对HAP六...
9. 孔道结构氧钒基磷酸盐研究进展

作者：廖立兵杜洪兵杨赞中

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 265-271,284

摘要：孔道结构氧-钒基磷酸盐具有丰富而复杂的结构化学特点及特殊的吸附、离子交换、择形催化,以及非线性光学、电磁学等性能,由此成为微孔材料领域研究的热点之一.本文综合评述了孔道结构氧-钒基磷酸盐体系...
10. 直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究

作者：夏冬林杨晟王树林赵修建

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 272-275,232

摘要：以10%质量分数SnO2和90%质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和...
11. 离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究

作者：刘焕林杨宇郝瑞亭

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 280-284

摘要：采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜.通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品.通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与...
12. Sr3NbGa3Si2O14晶体非同向声光可调谐滤波器的研究

作者：王宝林魏爱俭

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 285-287

摘要：对0.6328μm和1.06μm两种波长,分别给出了Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)晶体声光可调谐滤波器取不同近似下的超声波极角θa和入射光极角θi之间的关系曲线.结果指出,对晶体取...
13. Er3+掺杂钨酸铅晶体的发光和光谱特征

作者：赵广军黄彦林

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 288-293,305

摘要：本试验测试了Er3+掺杂钨酸铅晶体(PbWO4:Er3+)的吸收光谱,依据J-O理论,首次计算报道了光谱项特征:J-O强度参数、量子荧光效率、荧光分支比等,Ω2=3.75×10-20cm2,...
14. 溶胶-凝胶低温自蔓延工艺合成Co0.5Ni0.5Mn2O4纳米粉体的过程稳定性研究

作者：王卫民田长生赵丽丽赵鸣高峰

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 294-298

摘要：本文研究了溶胶-凝胶低温自蔓延工艺合成Co0.5Ni0.5Mn2O4纳米粉体过程中柠檬酸-硝酸盐体系的稳定性.研究结果表明:柠檬酸盐的析出是造成溶胶-凝胶体系不稳定主要因素;加入乙二醇与柠檬...
15. Al2O3衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性

作者：刘艳美周圣明孙兆奇宋学平李爱侠汪洪苏凤莲

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 302-305

摘要：用脉冲激光沉积法在Al2O3(0001)衬底上沉积了ZnO薄膜.衬底温度分别为300℃、400℃、500℃、600℃和700℃.利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学...
16. 温度变化对草酸钙晶体生长的影响

作者：欧阳健明陈村元

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 310-314

摘要：草酸钙(CaOxa)是泌尿系结石的主要成份,其生长过程受诸多因素的影响.本文研究了温度对CaOxa晶体成核、生长、聚集、晶相、形貌和溶解度等的影响及其机理,对防治泌尿系结石具有启示作用.但高...
17. 近化学计量比Tb:Fe:LiNbO3晶体的光谱特性及组分测定

作者：刘国庆刘金伟江竹青陶世荃

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 315-318

摘要：按化学计量比,用提拉法成功生长了不同掺量的Tb:Fe:LiNbO3晶体,分别测量了掺杂LiNbO3晶体在紫外(313nm)曝光前后的吸收光谱,曝光后吸收谱线整体上移,找到了吸收谱线上移最大的...
18. 铜、银及铂原子纳米团簇熔点随尺寸非单调变化的分子动力学模拟研究

作者：何焕典毋志民王新强罗强肖绪洋

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 351-354,350

摘要：采用分子动力学方法和原子嵌入法模型势模拟了铜原子、银原子及铂原子纳米团簇的熔化过程,研究了这些金属原子纳米团簇熔点与团簇尺寸的关系,发现各自在小于一定数目原子的金属纳米团簇的熔点不再随尺寸的...
19. 用不同粒度的籽晶生长优质宝石级金刚石单晶

作者：田宇肖宏宇臧传义贾晓鹏马红安

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 355-358

摘要：利用温度梯度法生长宝石级金刚石单晶过程中,由于籽晶接收碳源能力有限,单一晶种将很难完全吸收扩散下来的碳源,因而导致籽晶的粒度对晶体生长速度和品质都会产生很大影响.随着籽晶粒度的增大,晶体的生...
20. 铁基触媒中金刚石单晶的生长对初生渗碳体的消耗

作者：万桂怡宫建红崔建军李木森李洪岩许斌

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 363-366,377

摘要：利用扫描电子显微镜观察了不同合成时间的金刚石合成效果以及相应触媒的组织结构,结果表明: 随着压力、温度的升高,铁基触媒全部熔化为液态后约20秒内,熔体对碳的溶解度可达到极大的过饱和程度,生成...
21. 热稳定性混合生长型聚晶金刚石研制

作者：刘衍聪岳吉祥

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 367-372

摘要：本文在分析国内外钻探用聚晶金刚石应用及性能基础上,研制开发耐高温界面生长型聚晶金刚石,采用0.05钴片或钴铁片(5%铁)扩散工艺,对工艺组装制备及合成工艺条件进行详细分析论证,建立一种界面生...
22. 废旧碱性电池共沉淀法制备锰锌铁氧体的研究

作者：席国喜张存芳路迈西

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 373-377

摘要：以硫酸溶解废旧碱性锌锰电池所得溶液为原料,用NH4HCO3与NH3·H2O组成沉淀剂,采用并加共沉淀法制备出锰锌铁氧体.借助于原子吸收分光光度计对沉淀条件进行优化;借助于XRD、IR等手段对...
23. Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

作者：常新安张书峰肖卫强臧和贵陈学安

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 378-380

摘要：采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KT...
24. 低位错ZnSe单晶的生长

作者：丁进张力强张旭李卫王坤

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 385-387

摘要：采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过...
25. Co包覆纳米Al2 O3/TiC复合材料的界面电子结构计算及材料制备

作者：尹衍升师瑞霞李嘉龚红宇

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 388-394

摘要：采用热压烧结法制备了Co包覆纳米Al2O3/TiC复合材料.当热压烧结温度为1650℃时,复合材料的抗弯强度、断裂韧性和硬度分别为782MPa、7.81MPa*m1/2和HRA92.7.Al...
26. 微乳液法制备二氧化硅包覆ZnS:Mn/CdS纳米晶

作者：姚渊晏刚李冬梅桑文斌

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 400-403

摘要：采用微乳液法制备核壳结构ZnS:Mn/CdS(～4.5nm)纳米晶,为获得水溶性纳米晶,继续向此微乳液添加硅酸乙酯(TEOS),并使用氨水作为催化剂,通过TEOS水解缩聚反应,在ZnS:Mn...
27. 化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究

作者：李晋闽段满龙董志远赵有文魏学成

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 404-408

摘要：利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.在无籽晶自发成核的条件下,使用碳辅助增强质量传输方法,得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底,得到了直径为30...
28. 陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池研究进展

作者：刘萍卢景霄张宇翔杨仕娥王生钊王红娟

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 409-414

摘要：多晶硅薄膜太阳电池在提高电池效率和大幅度降低成本等方面具有极大潜力.陶瓷材料是高温路线制备多晶硅薄膜电池最常用的衬底材料之一.本文介绍了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的制备方法及其电池结构和相关工艺,...
29. 快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响

作者：普朝光李振豪李琳杨培志王忠华

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 415-419

摘要：采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子...
30. BN坩埚中的AlN单晶生长

作者：姜守振宁丽娜徐现刚李娟王继扬王英民胡小波蒋民华陈秀芳

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年2期

页码: 435-436

摘要：

人工晶体学报基本信息

刊名	人工晶体学报	主编	张伟儒
曾用名
主办单位	中材人工晶体研究院有限公司	主管单位	中国建筑材料联合会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1000-985X	CN	11-2637/O7
邮编	100018	电子邮箱	jtxbbjb@126.com
电话	010-65491290 ;65492963	网址	www.jtxb.cn
地址	北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱