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摘要:
采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜.通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品.通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系.在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si/Ge多层膜.通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能.
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文献信息
篇名 离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 Si/Ge多层膜 离子束溅射 红外探测材料
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 280-284
页数 5页 分类号 O48
字数 2720字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨宇 云南大学材料科学与工程系 101 377 9.0 12.0
2 郝瑞亭 中国科学院半导体研究所 4 24 3.0 4.0
3 刘焕林 云南大学材料科学与工程系 8 88 6.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
Si/Ge多层膜
离子束溅射
红外探测材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
相关基金
云南省自然科学基金
英文译名:
官方网址:
项目类型:面上项目
学科类型:
论文1v1指导