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人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

CA JST CSTPCD

影响因子 0.5027

本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。

主办单位：

中材人工晶体研究院有限公司

期刊荣誉：

1987年获优秀编辑二等奖 1989年获优秀期刊奖 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

ISSN：

1000-985X

CN：

11-2637/O7

出版周期：

月刊

邮编：

100018

地址：

北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. 气相生长氮化铝单晶的新方法

作者：刘文孙秀明敬守勇杨帆武红磊罗飞郑瑞生

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 1-4

摘要：通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布,在开孔处形成局部低温区;由于孔的几何尺寸的限制和氮化铝晶体生长的各向异性,开孔处的氮化铝晶体单晶化;随后,开孔处的单晶起籽晶的作用...
2. Er,Yb:KGd(WO4)2激光晶体的生长

作者：包照日格图周南浩承刚杨春和沈德忠王海丽陈建荣陈龙华齐家宝

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 5-7,51

摘要：采用顶部籽晶熔盐法,以K2WO4为助熔剂生长出铒、镱共掺钨酸钆钾[Er,Yb:KGd(WO4)2简称Er,Yb:KGW]激光晶体.XRD分析结果表明晶体为低温相Er,Yb:KGW晶体,即β-...
3. 加速坩埚旋转下降技术生长LiInS2晶体

作者：焦正波王善朋董春明蒋民华陶绪堂

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 8-13

摘要：本论文采用新的合成方法-高压釜法,利用高纯单质Li(3N)、 In(4N)、 S(sublimed)为原料,在1120℃下合成了单相、致密的LiInS2多晶料,并对其做了XRD表征.对传统的...
4. 沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

作者：姜守振宁丽娜徐现刚李娟王继杨王英民胡小波蒋民华陈秀芳

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 14-17

摘要：本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长...
5. LBO晶体超光滑表面抛光机理

作者：朱镛李军陈创天

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 18-21

摘要：胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理.在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO...
6. 快速响应高压电源在KTP晶体极化反转中的应用研究

作者：于建付伟佳倪文俊康玉琢李世忱桑梅陈亚南

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 22-26

摘要：分析了KTP晶体电导率的特性,设计与研制出一种新型的高压脉冲放大器,可将任意信号发生器产生的信号线性放大,响应速度快,最高输出电压为4000V,最大输出电流为30mA,功率可达100W.用其...
7. HFCVD系统中衬底接触热阻的研究

作者：卢文壮左敦稳徐锋李磊黎向锋

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 27-31,51

摘要：建立了热丝CVD大面积金刚石膜沉积的衬底温度场模型,对影响衬底温度场的接触热阻及其他相关沉积参数进行了模拟计算.根据实验结果,对接触热阻的计算公式进行了修正.当ζ=0.75时,计算结果和实验...
8. 前驱体法制备氮氧化硅纳米线及其光学性能研究

作者：曹传宝许亚杰

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 32-37

摘要：在Ni催化剂的存在下,通过SiCl4的水解氨解反应并在1300℃氨气气氛中进行热氮化处理制得了无定形氮氧化硅纳米线.产物经X射线衍射(XRD)、热重-差示扫描量热(TG-DSC)、扫描电镜(...
9. 溶胶电泳沉积法制备PZT压电厚膜及其性能研究

作者：刘维华周静李君陈文魏长松

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 38-41

摘要：采用溶胶-凝胶方法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉末,将此粉末按一定比例加入到同成分PZT溶胶中,采用溶胶-电泳沉积技术在ITO玻璃衬底上制备PZT厚膜.采用X射线衍...
10. 透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究

作者：卢景霄吴芳杨仕娥杨根王子健王海燕郜小勇陈永生

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 42-46

摘要：本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜.用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌.结果表明:在Sn...
11. GdVO4晶体的生长及其性能研究

作者：于永贵于浩海张怀金梁红艳王正平王继扬

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 47-51

摘要：采用提拉法沿a轴和c轴生长出无色透明的GdVO4单晶,质量均超过50g.用X射线荧光分析法测得两个主要元素Gd和V的分凝系数都接近1.室温下测量了GdVO4晶体的X射线粉末衍射图,确定所获G...
12. 点状籽晶法生长KDP晶体中散射颗粒分布

作者：李晓兵滕冰王东娟王庆国钟德高鲁晓东

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 52-56

摘要：在不同的溶液pH值条件下进行了点状籽晶法慢速和快速生长KDP晶体实验,发展了观察晶体中散射颗粒分布的激光层析技术,通过图像处理得到了KDP晶体内部(100)面完整的散射颗粒分部图,对不同生长...
13. ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

作者：介万奇李培森李焕勇白大伟赵海涛

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 57-61,65

摘要：本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比...
14. 膜电极厚度对电极材料析氢活性的影响

作者：宋红张庆宝张德坤李伟耿新华

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 62-65

摘要：用直流磁控溅射法制备不同厚度的膜电极材料.在室温,1mol/L KOH溶液中,这些膜电极材料析氢反应的过电位和膜电极的厚度有关:在一定厚度范围内,膜电极越厚,析氢过电位越小,不同膜电极材料都...
15. 光在介电常数正弦调制的一维光子晶体中的传输

作者：方云团毕凯

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 66-69

摘要：本文用平面波展开法和时域有限差分法研究了光在介电常数受正弦函数调制的一维光子晶体传输规律,发现该光子晶体同样具有一般光子晶体的带隙结构.带隙宽度随调制深度的增加而增加,随周期长度的增加而减小...
16. pH值对ZrO2超细粉体料浆性能的影响

作者：孙加林王金锋谢志鹏高雅春

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 70-75

摘要：研究了不同pH值时超细ZrO2粉体料浆的Zeta电位、沉降速度和粘度等性能.测试了加入柠檬酸三铵作分散剂和A型分散剂(聚丙烯酸盐)以及不加分散剂时料浆的Zeta电位,结果证明采用A型分散剂分...
17. 超声波对甲硝唑溶液结晶热力学性质的影响

作者：李鸿王伟王小洁阮永丰

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 76-80

摘要：本文采用降温结晶的方法,在搅拌和超声波作用下,分别测量了甲硝唑溶液结晶成核的介稳区和诱导期.通过分析超声波对甲硝唑溶液结晶的介稳区、诱导期产生的影响,从扩散系数、温度及能量角度分析了超声波促...
18. Sn掺杂对ZnO晶体形貌和磁性的影响

作者：付三玲刘超李军王伟伟董国义蔡淑珍韦志仁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 81-84,75

摘要：采用水热法,在ZnO中添加SnCl2·2H2O作前驱物,3M KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,合成了掺杂Sn的ZnO晶体.当前驱物中添加SnCl2·2H2O可以明显影...
19. 采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料

作者：侯国付孙建张建军张德坤耿新华薛俊明袁育杰赵颖

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 85-88

摘要：本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果.重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响.通过沉积参...
20. GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移

作者：孙晓娟张籍权张红治梁秀萍潘石田怡春胡礼中

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 89-92

摘要：报道了一种用于制作扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖的剥离和转移方法-GaAs衬底选择湿法刻蚀技术.利用扫描电子显微镜对转移后的微探尖进行了表征.结果表明,通过此方法能够成...
21. La1-xCaxMnO3陶瓷的导电性和磁性研究

作者：常雷蒋毅坚龚小南

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 93-97

摘要：采用固相反应法制备了含钙量介于15～50%的La1-xCaxMnO3系列多晶陶瓷;在78～300K温度范围内测量了这些陶瓷的电阻-温度曲线,从而确定陶瓷的最佳组分为La0.67Ca0.33M...
22. 三氟乙酸和丙三醇双掺TGS晶体生长与性能研究

作者：常新安涂衡肖卫强臧和贵艾琳

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 98-101

摘要：利用水溶液降温法生长了单掺4.4mol%三氟乙酸TGS晶体及双掺4.4mol%三氟乙酸和4.4mol%丙三醇TGS晶体,研究了晶体生长习性,并对其热释电系数、介电常数、居里点及电滞回线进行了...
23. 透明陶瓷的研究进展

作者：房明浩曹瑛李卫东黄朝晖

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 102-105

摘要：透明陶瓷性能优异,应用广泛,是一类备受关注的新型材料.目前已经成功开发的透明陶瓷有氧化铝透明陶瓷、氧化钇透明陶瓷、氮化铝透明陶瓷以及PLZT电光透明陶瓷和激光透明陶瓷等.本文介绍了几种透明陶...
24. 在钛酸锶衬底上外延生长ZnO薄膜及其性能研究

作者：何晓明周圣明宋词张连翰杨锡林杭寅邹军

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 106-109

摘要：用脉冲激光淀积法(PLD)在(111)面SrTiO3衬底上外延生长ZnO单晶薄膜.样品分别在衬底温度为350℃、500℃、600℃下外延生长.X射线衍射(XRD)的结果表明,所得的ZnO单晶...
25. 吸收光谱测量晶体折射率的简易方法

作者：万松明孙敦陆张庆礼殷绍唐王召兵

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 110-113

摘要：折射率是晶体的基本参数,本文提出了利用透过光谱来测量晶体折射率的简易方法,此种方法具有对样品的尺寸要求低、测量范围无限制、操作简单、易获得一定光谱范围晶体折射率的优点.用吸收光谱法和自准直法...
26. 2μm波段激光晶体Tm:YAP的生长缺陷

作者：孙宝德李胜华杨扬王俊陆燕玲

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 114-118

摘要：采用提拉法沿a、b、c轴方向生长了Tm:YAP晶体,研究了该晶体的几种常见缺陷.通过化学腐蚀,利用光学显微镜观察了Tm:YAP晶体主要晶面的位错腐蚀坑形貌,发现在沿b轴生长晶体的(010)面...
27. 非晶/微晶过渡区内材料性能及电池的研究

作者：孙建张晓丹赵颖陈飞魏长春

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 119-122,128

摘要：本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜...
28. 硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响

作者：卢景霄杨仕娥杨根汪昌州郜小勇陈永生

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 123-128

摘要：采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响.拉曼光谱、扫描电子显微镜、分...
29. 衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的光学和电学特性的影响

作者：刘维峰孙景昌张贺秋胡礼中赵子文霍炳至骆英民

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 129-133

摘要：利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试.RHEED和XRD...
30. 脉冲激光沉积法在SiO2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO3薄膜

作者：叶志镇曹亮亮王新昌赵炳辉

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2007年1期

页码: 134-137,145

摘要：本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa...

人工晶体学报基本信息

刊名	人工晶体学报	主编	张伟儒
曾用名
主办单位	中材人工晶体研究院有限公司	主管单位	中国建筑材料联合会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1000-985X	CN	11-2637/O7
邮编	100018	电子邮箱	jtxbbjb@126.com
电话	010-65491290 ;65492963	网址	www.jtxb.cn
地址	北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱