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摘要:
本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜.用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌.结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大.通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差.
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文献信息
篇名 透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 透明导电膜 p-Si:H膜 I-V测试 电接触特性 晶化率
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 42-46
页数 5页 分类号 O484
字数 2073字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.010
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p-Si:H膜
I-V测试
电接触特性
晶化率
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
总被引数(次)
38029
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