P-Si TFTs带间隧穿电流的建模研究

• 作者: 李斌 李树花
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 带间隧穿 建模
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: TN325+.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2008.03.002

摘要

介绍了多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)中的带同隧穿(BBT)效应的产生机理,分析了BBT对P-SiTFT电流特性的影响,总结了关于P-Si TFT带间隧穿效应的研究现状,并提出建立更为完善的BBT电流模型的建模思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	李树花	华南理工大学微电子研究所	2	4	2.0	2.0