一维双量子点系统的电子隧穿及电导

• 作者: 孙科伟 黄春云
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 光子辅助隧穿 量子点 库仑阻塞
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 94-98
• 页数: 5页
• 分类号: O488
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2009.04.025

摘要

研究了在量子点系统中的共振隧穿,光子辅助隧穿和自旋极化隧穿现象.根据紧束缚近似理论,给出了在稳态下双量子点系统的哈密顿量,并获得在库仑阻塞体系下双量子点系统电导率的表达式.在小功率微波体系下,得到了在单光子辅助隧穿情况的电子传输特性.双量子点的门电压将影响对应频率的光的吸收,系统的电导率将出现对频率的线性依赖性.在外加磁场条件下, 发现了在库仑阻塞体系下的自旋极化现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄春云	杭州电子科技大学材料物理研究所	4	0	0.0	0.0
2	孙科伟	杭州电子科技大学材料物理研究所	3	0	0.0	0.0