单电子隧道结隧穿特性研究与仿真

• 作者: 任培林 孟锋 李芹 蔡理
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 隧道结 单电子隧穿 库仑台阶
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 页码范围: 90-92
• 页数: 3页
• 分类号: TN401
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.11.026

摘要

基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真结果进行分析,将该模型应用于单电子盒进行仿真验证,出现了明显的库仑台阶,仿真曲线印证了理论分析结果.利用Matab强大的计算功能进行单电子器件特性仿真对单电子器件的应用研究有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
2	李芹	空军工程大学工程学院	21	51	4.0	5.0
3	孟锋	空军工程大学工程学院	2	4	2.0	2.0
4	任培林	空军工程大学工程学院	2	4	2.0	2.0