磁性隧道结电子输运特性的研究

• 作者: 胡浩 黄政
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 隧道结 隧穿电导 透射系数
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 345-349
• 分类号: O485
• 字数: 2232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.02.026

摘要

在Sl0nczewsik自由电子理论模型下,研究了两铁磁性金属电极被一平面磁性势垒隔开的磁性隧道结零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,研究表明隧道结的磁结构对隧穿电导和隧穿磁阻的值有很大的影响,当两磁性电极分子场方向相同,且都与势垒层分子场反平行时,隧穿电导数值达到最大,两者平行时,其数值最小,同时还分析了分子场的相对取向等对磁性隧道结自旋极化电子输运性质的影响.研究结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡浩	贵州大学光电子技术及应用重点实验室	28	60	4.0	6.0
2	黄政	贵州大学光电子技术及应用重点实验室	15	34	4.0	4.0