单电子器件的Monte Carlo模拟

• 作者: 何红波 周继承 李义兵 胡慧芳
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: Monte Carlo模拟 单电子 隧道结
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TP3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2000.04.013

摘要

文章介绍了一种利用正统理论与Monte Carlo方法模拟单电子隧穿器件的程序.该程序可模拟电于通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程.利用该程序,对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管(SET)系统进行了模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡慧芳	长沙铁道学院材料研究所	17	104	3.0	10.0
2	李义兵	长沙铁道学院材料研究所	19	37	3.0	4.0
3	何红波	长沙铁道学院材料研究所	28	66	5.0	6.0
4	周继承	长沙铁道学院材料研究所	19	27	3.0	3.0