GaN微电子器件的研究进展

• 作者: 司晓琨 吕曼 杨立军
• 来源期刊: 河北省科学院学报
• 关键词: GaN GaN材科 GaN器件
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 49-55
• 分类号: TN604
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9383.2011.01.012

摘要

介绍了GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题;着重介绍了GaN微电子器件的历史发展和最新发展;GaN微电子器件发展表现出较大应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	司晓琨	河北省科学院应用数学研究所	7	34	3.0	5.0
7	吕曼	北京工业大学电控学院	6	28	4.0	5.0
11	杨立军		2	13	2.0	2.0