Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性

• 作者: 陈彦 马书懿
• 来源期刊: 西北师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge/SiO2薄膜 射频磁控溅射 电流输运
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+2
• 字数: 2818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-988X.2006.06.013

摘要

用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制.分析表明,在较低的正向偏压和反向偏压下,电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流;而在较高的正向偏压下,Frenkel-Poole发射和空间电荷限制电流两种机制共同作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
2	陈彦	西北师范大学物理与电子工程学院	7	55	3.0	7.0