Au/(Si/SiO2)/p-Si结构中电流输运机制的研究

• 作者: 张开彪 马书懿
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 射频磁控溅射 I-V特性 电场协助隧穿
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 56-57,60
• 页数: 3页
• 分类号: TN601
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.017

摘要

用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析.结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电流的产生则以热电子发射的方式为主.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张开彪	西北师范大学物理与电子工程学院	6	10	2.0	2.0
2	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0