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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 研究了气体摆式水平姿态传感器的工作原理、结构、信号获取电路及补偿技术.采用铂电阻丝作为热源,在密闭腔中使气体产生自然对流,用硬件电路和数字化软件补偿技术提取载体姿态信号并进行处理.研制出测量...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响.所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用水解沉积-阳极氧化法制备高介电常数的Al-Ti复合氧化膜,研究了含钛无机盐溶液的浓度、温度、pH值处理时间,以及退火温度对Al-Ti复合氧化膜比容增长率的影响.结果表明,铝腐蚀箔在浓度为0...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用固相反应法制备了一系列铌锑酸镁(Sb含量x≤2)陶瓷,研究了该陶瓷的烧结性能、物相结构和微波介电性能.结果表明,当x≤1.6时,铌锑酸镁形成了连续固溶体,少量Sb5+对Nb5+的取代(0....
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 从导电性角度考查银粉颗粒形貌和粒径大小对导电胶电阻率的影响.用不同形貌和不同平均粒径的银粉,按相同配方制成导电胶,比较其体电阻率.结果发现不同形貌的银粉体系的电阻率存在数量级上的差异;填充片...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理.结果表明,随着膜厚的增...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析.结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶S...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 研究了不同LiOH掺杂量和烧结温度对环形钛酸锶元件电性能的影响.实验结果表明,随着LiOH含量的增加,压敏电压先降低,后升高,在x(LiOH)为4.5%时,电压呈现最低值;同时,烧结温度也是...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 鉴于气氛炉设备昂贵,笔者提出用非气氛炉烧结SrTiO3基环形压敏电阻器.并研制了与之相匹配的SrTiO3基环形压敏电阻器双功能(电容–压敏)瓷料.采用电子陶瓷常规设备(箱式炉或隧道炉)与工艺...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO2超微粒薄膜,借集成电路技术制成气敏元件,并用RQ-1型气敏特性测试仪在动态配气系统中测试其气敏特性.结果表明:烧结体SnO2元件的气敏效应出现在3...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： Sb2O3掺入量(均为质量分数)<1.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相,平均晶粒尺寸随掺入量增大由17μm减小至2μm,压电活性逐渐增强;Sb2O3掺入量>1.9%时,为钙钛矿与焦绿石两相复合结...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用0-3型PZT/P(VDF-TFE)压电复合材料设计制作了切向极化圆柱形水听器,并对水听器的灵敏度进行了理论分析,通过对样机的测试,灵敏度与理论计算值接近.理论研究和实验结果表明,使用0...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 将纳米Al2O3引入半导化钛酸钡的材料中,着重研究了纳米Al2O3对其烧成温度、材料性能以及显微结构的影响.实验表明,与普通Al2O3相比,纳米Al2O3能显著提高PTC陶瓷的性能:温度系数...
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14. 编读通信刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要：
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15. 温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3 h,把前后样品...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度.借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响.发现烧结温度...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响.结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用气泡最大压力法对Sn-9Zn-XBi焊料进行了表面张力测试,用平衡法测试焊料的润湿性.结果表明:Bi的添加大大降低了Sn-Zn系焊料熔体的表面张力;然而焊料暴露在空气环境下1 min后,...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 分析了氧化铝的水合作用机理、不同pH介质溶液中氧化铝的表面性能以及阳极氧化形成过程中水合氧化物的生成.结果表明:耐水合剂与氧化铝表面作用应形成一定的特征,才能起到很好的耐水合作用,不同类型的...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 介绍了纳米结构制作的一种新方法--微接触印刷术的工艺流程和关键技术,并简要分析了影响微印刷技术的几个因素.它克服了传统光刻技术的缺陷,能在金、银、硅片等多种基材上制作平面和曲面上的纳米–微米...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 研究了铜电极端浆以及不同的烧端工艺对MLCC耐焊接热的影响.结果表明:选择粒径小且均匀的片状铜粉,可提高MLCC端头的致密性,提升其耐焊接热能力;选用Zn-B-Si作为玻璃体系,对片容的耐焊...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 导针型铝电解电容器的开路现象主要是因为裂箔、钉接不良、钉接花瓣小、正箔表面箔灰厚及原箔腐蚀太深而造成.假性短路的现象主要是跑片、抽芯、钉花毛刺、导针毛刺、铝箔边缘毛刺、芯子高低脚等原因而造成...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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