磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究

• 作者: 吴兴惠 周祯来 杨宇 毛旭 陈长青
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 SiC薄膜 μc-SiC 磁控溅射 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.08.007

摘要

用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析.结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜.并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学化学与材料工程学院材料系	101	377	9.0	12.0
2	吴兴惠	云南大学化学与材料工程学院材料系	86	1144	19.0	29.0
3	毛旭	云南大学化学与材料工程学院材料系	10	75	6.0	8.0
7	陈长青	云南大学化学与材料工程学院材料系	3	21	3.0	3.0
8	周祯来	云南大学化学与材料工程学院材料系	7	49	5.0	7.0