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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 研究了SrCO3对(Co, Ta)掺杂的SnO2压敏陶瓷的微观结构和电学性质的影响.当x(SrCO3)从0增加到2.5%,该SnO2压敏陶瓷的压敏临界电场强度从318 V/mm猛增到3 62...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 以SnCl4为原料,采用sol-gel技术,应用间接成胶法,在玻璃片上制备了纳米晶SnO2薄膜及粉体,以其灵敏度、响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准,对制备工艺参数进行了优化,并用DS...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 基于PCI总线的数据采集卡,研制出了多工位PTCR元件电流-时间特性测试系统.它能同时对10个工位的PTCR元件的启动时间、峰值电流、残余电流、恢复时间、消耗功率等多个参数进行测量.系统测试...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 利用XRD、IR、UV-VIS、AFM、XPS等手段,研究了退火温度对溶胶-凝胶法制备的纳米TiO2薄膜微结构和表面形貌的影响.450～600℃退火处理的薄膜呈锐钛矿和金红石型混晶结构,70...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 为获得低室温电阻率的PTC材料,以草酸为沉淀剂,采用液相包裹法制备了NiC2O4·2H2O/BaTiO3前躯体,并由其热分解制得Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料.对该复合材料的研究表明,在还...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 通过各项工艺对比实验,研究了烧成工艺参数对成品性能的影响.给出了最佳工艺参数:烧结温度为1280～1300℃,保温2 h,用N2/H2/H2O的混合气控制P(O2)为10-8～10-10MP...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 运用SEM和XRD等手段,研究了掺杂对Y5V钛酸钡陶瓷材料结构和性能的影响.SEM和能谱的研究结果表明:掺杂促进了材料的烧结,Nd5+聚集在晶界的位置,形成针状的晶粒.XRD结果表明,掺杂材...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 采用Ansoft HFSS电磁场模拟仿真软件,对LTCC多层带通滤波器制备过程中的介质材料与工艺偏差进行模拟仿真,并与实际器件测试结果对比.研制的片式多层带通滤波器的偏差的允许范围是:微波介...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 为了提高大型铝电解电容器的使用寿命,电极箔生产过程采用四级化成、多级处理、加入添加剂的方法,提高氧化膜的致密性,减少漏电流.做成400 V,6 800×10-6 F/cm2的铝电解电容器,经...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 对Pb0.98Sr0.02(Mni/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究....
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 研究了Nb2O3、La2O3、ZnO、NiO的加入对CaTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨.结果表明:选择合适种类和数量的添加剂能够降低CaTiO3烧结温度并能在1...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4-xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 制备了与0Cr18Ni9不锈钢热膨胀相匹配的Ba-Al-Si系微晶玻璃,利用流延法将玻璃制成生瓷带.在不锈钢板表面生瓷带经温压烧结后形成金属/微晶玻璃复合基板.电气性能测试结果,介质层厚度＞...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜.XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al-N0键...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 采用热压烧结工艺制备了Al2O3-SiC复相微波衰减材料.通过网络分析仪,研究了SiC含量对材料的微波衰减性能的影响.结果表明,当w(SiC)＜3%,复相材料具有选频衰减的频谱曲线,谐振峰位...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 用sol-gel法粉体技术和化学镀膜技术的微观复合,在溶液中得到超细CaSiO3导电粉.讨论了醛基溶液浓度、溶液pH值对导电粉性能的影响,确定了导电粉制备的工艺条件为:n(CaSiO3粉体)...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析.结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowl...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基片上制备了约700 nm的Ba03Sr0.5TiO3(BST)薄膜.研究了溅射功率、气压、ψ[O2/(Ar+O2)]比和基片温度对εr的影响,获得各种溅射条件...
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19. 电子元器件的贮存可靠性及评价技术刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键.并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 介绍了近期文献中对紫外光照下半导体金属氧化物薄膜气敏特性的研究结果:紫外光照引起SnO2,In2O3,ZnO薄膜电导显著增大;提高室温下薄膜对CO,NO2气体检测的灵敏度,减少响应和恢复时间...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 总结了氨基蒽醌聚合物的合成方法,讨论了氨基蒽醌聚合物的特异电性能,重点论述了氨基蒽醌聚合物在研制电子元件如二次电池、超电容器、修饰电极等方面的应用.特别指出氨基蒽醌聚合物在电导性、电催化增敏...
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22. 编读通信刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年7期页码:摘要：
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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