溅射工艺参数对BST薄膜介电常数的影响

• 作者: 杨云霞 林明通 楼均辉 肖田 陈国荣
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 射频磁控溅射 BST薄膜 沉积速率 介电常数
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 58-60
• 页数: 3页
• 分类号: TN384
• 字数: 2251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.018

摘要

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基片上制备了约700 nm的Ba03Sr0.5TiO3(BST)薄膜.研究了溅射功率、气压、ψ[O2/(Ar+O2)]比和基片温度对εr的影响,获得各种溅射条件下的薄膜的εr为250～310.提出了较优的工艺,即本底真空1.5×10-3Pa、靶基距6.2 cm、功率300W、气压1.8Pa、ψ[O2/(Ar+O2)]为30%和衬底温度500℃,并研究了薄膜的晶相、组成和形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨云霞	华东理工大学材料科学与工程学院	30	361	11.0	18.0
2	陈国荣	华东理工大学材料科学与工程学院	51	249	7.0	14.0
3	肖田	上海广电电子股份有限公司平板中心	11	30	3.0	4.0
4	林明通	上海广电电子股份有限公司平板中心	7	26	3.0	4.0
8	楼均辉	上海广电电子股份有限公司平板中心	6	15	2.0	3.0