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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 为使金红石型纳米TiO2在水溶液中良好稳定地分散,采用Ti(SO4)2水热合成法,在低温下制备了纳米TiO2粉体,并选取几种无机、有机分散剂对合成的TiO2在水中的分散行为进行了比较.XRD...
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2. 下期要目刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火.测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应....
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜.在...
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5. 综合信息刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究.结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 利用柠檬酸sol-gel法合成了六方晶系M型钡铁氧体,采用XRD、原子力显微镜对其晶型、粒径分布及显微结构进行了研究,利用网络分析仪对铁氧体的微波性能进行了分析,并分析了其改性思路.结果表明...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟.采用体硅"无掩膜"腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制.通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(3...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： BGA及μBGA、CSP、MCM封装片及倒装片与基板的连接过程中,其关键与核心是钎料凸点的制作技术.制作这种凸点可以采用事先制作好的焊球,介绍了BGA焊球的实验室制备方法--切丝重熔法,用该...
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10. PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm-1附近出现了对应...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： Sn-9Zn共晶合金在一般松香助焊剂条件下润湿性较差.开发了一种新的改性松香助焊剂.用铺展面积测量和润湿天平两种手段,表征不同助焊剂条件下Sn-9Zn合金对铜的润湿性,用失重测量表征助焊剂对...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3～9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一...
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13. 中温烧结CLNT微波介质陶瓷刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 研究了Bi2O3对CLNT陶瓷的烧结性能、物相和介电性能的影响.添加4%～10%(质量分数)Bi2O3,在液相Bi2O3和Bi2O3-TiO2两重作用下,烧结温度降至1050℃.XRD分析表...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用化学氧化聚合法在铝电解电容器的芯子中形成聚吡咯.使用四种不同的工艺方法制作了卷绕式的PPy(聚吡咯)铝电解电容器,研究了电容器的各项电性能,如:电容量-频率特性、损耗-频率特性、阻抗-频...
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15. PZT铁电薄膜的印迹研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状...
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16. 一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成.在一台联...
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17. 用于超电容器的高性能活性炭研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 运用化学活化法制备了超电容器用高比表面积活性炭.利用碘吸附、亚甲蓝吸附和BET测试,对样品的孔隙性进行了分析.以制备的活性炭为超电容器电极材料,利用循环伏安和恒流充放电测试其电容特性.结果表...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 封装材料的热疲劳失效是封装器件失效的主要原因之一.对在微电子封装中应用很广的环氧模塑封装材料进行了常温和高温下的拉伸、疲劳实验.基于以疲劳模量作为损伤因子的疲劳寿命预测模型,相应的材料参数通...
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19. MLCC制造中产生内部开裂的研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 从内电极设计、内浆(内电极浆料)的选择、内电极干燥工艺等方面对MLCC内部开裂的原因进行了深入研究,结果表明,通过测试瓷膜与内浆的热收缩曲线,选择收缩率相接近的瓷膜与内浆来制作MLCC;调试...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 总结了近几年稀土掺杂Y2O3纳米晶发光材料的研究工作.回顾了Y2O3:Eu3+纳米晶的制备方法及发光性质,特别是采用溶胶–凝胶热解过程,在激发光谱中观察到同基质晶格和粒径相关的蓝色位移(≈6...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年5期页码:摘要： ZAO薄膜具有低电导率、高可见光透射率、高红外光反射率及其它半导体特性,应用于平板显示器件、太阳能电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层等领域.ZAO薄膜原料易得,制造成本低廉,无毒...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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