一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器

• 作者: 李言 李静 王守士 王艳 章仲涛 章士瀛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 晶界层半导体陶瓷电容器 一次性烧成 联体炉
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 43-45,48
• 页数: 4页
• 分类号: TM534+.1
• 字数: 2932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.05.014

摘要

采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成.在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和气氛变化,连续完成还原烧成和氧化处理.还原烧成时,升温速度大于400℃/h.在还原烧成温度下保温后,立即在几分钟内,从还原气氛转到氧化气氛,同时降温300℃以上.整个烧成过程中,瓷体全部是堆烧(叠烧10～20层),生产效率比二次烧成提高10倍以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李静		2	5	1.0	2.0
2	章士瀛		7	12	3.0	3.0
3	王守士		4	6	1.0	2.0
4	李言		3	6	1.0	2.0
5	章仲涛		1	5	1.0	1.0
6	王艳		5	6	1.0	2.0