低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料

• 作者: 奚益明 宋元伟 沈辉 潘晓明 王评初
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: SrTiO3 GBBL电容器
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 613-616
• 页数: 4页
• 分类号: TM534
• 字数: 1050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.038

摘要

报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称GBBLC).材料的有效介电常数高达37×104,损耗可控制在4%,晶粒5μm左右,△C/C<±3%(20～150℃),频率色散较小,且制备工艺简单.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈辉	中国科学院上海硅酸盐研究所	50	891	14.0	29.0
2	宋元伟	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	11	2.0	2.0
3	王评初	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	213	7.0	13.0
4	潘晓明	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	72	4.0	7.0
5	奚益明	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	18	2.0	2.0