PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性

• 作者: 何建廷 庄惠照 王书运 薛成山
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 ZnO薄膜 PLD 六方纤锌矿结构
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 24-26
• 页数: 3页
• 分类号: TN604
• 字数: 2463字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.05.008

摘要

用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度.ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书运	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	57	450	11.0	19.0
2	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	72	276	9.0	11.0
3	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	何建廷	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	10	61	5.0	7.0