PLD法生长Al2O3基ZnO薄膜的特性

• 作者: 何建廷 庄惠照 曹文田 李田泽
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 PLD ZnO 薄膜 Al2O3
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试测
• 页码范围: 60-62
• 页数: 3页
• 分类号: TQ132.4
• 字数: 2656字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.12.019

摘要

在不同衬底温度下,用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(0001)平面上生长了ZnO薄膜.研究了衬底温度对其结晶质量、电学性质以及发光性质的影响.结果显示:XRD在2θ为34°处出现了唯一的ZnO(0002)衍射峰;ZnO薄膜的电阻率随衬底温度的升高而增大;在衬底温度为500 ℃时,出现了位于410 nm附近的特殊的光致发光(PL)峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院	72	276	9.0	11.0
2	曹文田	山东师范大学物理与电子科学学院	18	40	3.0	5.0
3	何建廷		1	2	1.0	1.0
4	李田泽		1	2	1.0	1.0