氧分压对PLD法生长Si(111)基ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 何建廷 曹文田
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 PLD 氧分压 发光峰
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.04.016

摘要

在不同氧分压下用脉冲激光沉积(PLD)法在n型硅(111)衬底上生长ZnO 薄膜.通过对其进行XRD、傅里叶红外吸收(FTIR)和光致发光谱(PL)的测量,研究了氧分压对PLD法制备的ZnO薄膜的结晶质量和发光性质的影响.XRD显示,氧分压为6.50 Pa时可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜.PL谱显示,当氧分压由0.13 Pa上升至6.50 Pa时,位于380 nm附近的主发光峰的强度最大.当氧分压进一步上升至13.00 Pa时,主发光峰减弱,与氧空位有关的发光峰消失,显示出ZnO薄膜的PL谱和氧分压的大小密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何建廷	山东理工大学电气与电子工程学院	13	57	5.0	7.0
2	曹文田	山东师范大学物理与电子科学学院	18	40	3.0	5.0