生长温度和退火气氛对ZnO:Al薄膜结构与性能的影响

• 作者: 刘业翔 刘芳洋 张治安 李劼 欧阳紫靛 赖延清
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: ZnO Al薄膜 生长温度 退火气氛 光学性质 电学性质
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 448-454
• 分类号: O78
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2011.03.023

摘要

采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO:Al透明导电薄膜,研究生长温度和退火气氛对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响.结果表明:不同温度下生长的ZnO:Al薄膜均为高度c轴取向的六角铅锌矿结构,400～900 nm波长范围内薄膜的平均透过率均超过85%.ZnO:Al薄膜的电学性能强烈依赖于生长温度,室温～500℃范围内,500℃下生长的薄膜具有最大的载流子浓度(2.294×10<'21>cm<'-3>)和最低电阻率(4.095×10<'-4>Ω·cm).退火气氛对薄膜的性能影响显著,经过不同气氛退火后,薄膜的表面粗糙度降低,结晶质量和光学性能有所提高;在O<,2>、N<,2>、空气等气氛下退火,薄膜的载流子浓度降低,电阻率上升;Ar和真空退火时,薄膜载流子浓度上升,电阻率显著下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘业翔	中南大学冶金科学与工程学院	179	2522	25.0	39.0
2	李劼	中南大学冶金科学与工程学院	259	2311	22.0	31.0
3	赖延清	中南大学冶金科学与工程学院	224	2239	23.0	32.0
4	张治安	中南大学冶金科学与工程学院	45	435	13.0	18.0
5	刘芳洋	中南大学冶金科学与工程学院	29	88	7.0	9.0
6	欧阳紫靛	中南大学冶金科学与工程学院	2	12	2.0	2.0