退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响

• 作者: 严钦云 崔丽玲 李雪勇
• 来源期刊: 湖南工业大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZAO薄膜 退火温度 电学性能 光学性能
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 22-25,28
• 分类号: O484.4
• 字数: 2343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9833.2011.05.007

摘要

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明：在退火温度为200℃时,ZAO薄膜具有较优的光电性能,其电阻率为9.62×10-5.cm,可见光区平均透射率为89.2%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雪勇	湖南工业大学理学院	14	33	4.0	5.0
2	崔丽玲	湖南工业大学理学院	5	9	1.0	3.0
3	严钦云	湖南工业大学理学院	2	8	1.0	2.0