退火温度对ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 严祥安 余花娃 杜亚利 王晶 高宾
• 来源期刊: 纺织高校基础科学学报
• 关键词: ZnO薄膜 X射线衍射分析 原子力显微镜 退火温度 透射率
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 102-106
• 页数: 5页
• 分类号: O472.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8341.2009.01.023

摘要

采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向ZnO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、双光束紫外可见分光光度计等仪器分析了退火温度对ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,在射频功率为100W时所制备的ZnO薄膜,当退火温度为600℃时,能获得最佳c轴取向和最小半高宽,此时ZnO薄膜具有较低的表面粗糙度和较高的透射率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高宾	西安工程大学理学院	26	142	8.0	11.0
2	余花娃	西安工程大学理学院	18	39	3.0	5.0
3	杜亚利	西安工程大学理学院	7	16	2.0	3.0
4	王晶	西安工程大学理学院	17	29	3.0	4.0
5	严祥安	西安工程大学理学院	28	59	4.0	5.0