退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响

• 作者: 冯武昌 刘新科 吕有明 方明 曹培江 曾玉祥 朱德亮 柳文军 温喜章 覃金牛 许望颖 韩舜
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜材料 ZnO 薄膜晶体管 退火温度 迁移率 界面
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 375-381
• 页数: 7页
• 分类号: TP322
• 字数: 1755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2019.04375

摘要

为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光等技术对ZnO-TFT进行表征.实验结果表明,具有400℃退火温度的ZnO-TFT表现出最佳性能,迁移率为2.7cm2/Vs,阈值电压为4.6V,开/关电流比为5×105,亚阈值摆幅为0.98 V/Dec.电性能的改善可归因于载流子浓度的降低,ZnO膜结晶的增强,以及氧化物半导体层和绝缘层之间界面的改善.