退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

• 作者: 戴江南 方文卿 江风益 温战华 王立 罗小平 蒲勇 郑畅达
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 氧化锌 X射线双晶衍射 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 498-501
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.014

摘要

采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710～860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.ZnO(002)面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM) 随退火温度的升高变小,770℃后基本保持不变,ZnO(102)面双晶ω扫描曲线的FWHM一直变小.770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2(200)衍射峰.同时,光致发光测试表明,随着退火温度升高,带边发光强度减弱,与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强.通过ICP刻蚀,去除退火后样品的表面层,ω-2θ扫描曲线中ZnO2(200)衍射峰和PL谱中绿带发光均消失,表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面.