Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能

• 作者: 冯松 刘永生 李蓉萍 田磊 邹凯
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: ZnTe薄膜 Sb掺杂 真空蒸发 光学性能 电学性能
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 35-41
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007

摘要

采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李蓉萍	内蒙古大学物理科学与技术学院	28	132	7.0	9.0
3	邹凯	内蒙古大学物理科学与技术学院	9	16	2.0	3.0
5	刘永生	内蒙古大学物理科学与技术学院	7	9	2.0	2.0
13	田磊	内蒙古大学物理科学与技术学院	5	13	2.0	3.0