射频磁控溅射法制备Ti掺杂ITO薄膜的厚度对膜结构与光电性能的影响

• 作者: 朱鸿民 李士娜 马春红 马瑞新
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 射频磁控溅射 半导体 ITO:Ti薄膜 薄膜厚度 光电性能
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 503-507
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

利用Ti掺杂ITO靶材，采用单靶磁控溅射法在玻璃基底上制备厚度为50~300 nm的ITO：Ti薄膜。借助X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、可见光分光光度计、霍尔测试系统和四探针电阻测量仪，研究薄膜厚度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明：ITO：Ti薄膜呈现(400)择优取向，随薄膜厚度增加，薄膜的结晶程度增强，晶粒度增大，薄膜更致密。随薄膜厚度增加，薄膜的均方根粗糙度和平均粗糙度以及电阻率都先减小再增加，薄膜厚度为250 nm时，表面粗糙度最小，蒋膜厚度为200 nm时，电阻率最低，为2.1×10?3?·cm。不同厚度的薄膜对可见光区的平均透过率都在89%以上。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱鸿民	北京科技大学冶金与生态工程学院	43	232	7.0	13.0
2	马春红	北京科技大学冶金与生态工程学院	6	24	3.0	4.0
4	马瑞新	北京科技大学冶金与生态工程学院	17	176	7.0	13.0
6	李士娜	北京科技大学冶金与生态工程学院	3	5	2.0	2.0