锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响

• 作者: 崔锦峰 张晓亮 易戈文 杨保平 贾均红 钟小华
• 来源期刊: 无机盐工业
• 关键词: ATO纳米薄膜 Sb掺杂量 sol - gel法 光透过率 方块电阻
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 19-21
• 分类号: TQ135.31
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4990.2012.01.006

摘要

以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)薄膜.分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响.结果表明:所制备的ATO薄膜为(110)面择优取向的四方相锡石结构,晶粒尺寸小于26 nm,当锑掺杂量为10％(物质的量分数)时,ATO薄膜具有最小的方块电阻(60.1Ω/□),可见光透过率大于85％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾均红	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	26	426	11.0	20.0
2	崔锦峰	兰州理工大学石油化工学院	140	922	15.0	21.0
3	杨保平	兰州理工大学石油化工学院	140	910	15.0	21.0
4	张晓亮	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	5	12	2.0	3.0
5	易戈文	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	6	13	2.0	3.0
6	钟小华	兰州理工大学石油化工学院	2	10	2.0	2.0