热处理工艺对室温制备ZnO:Al薄膜结构与光电性能的影响

• 作者: 任明放 杨玲 王华 许积文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO∶Al 光电性能 磁控溅射 退火工艺
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 1189-1192,1198
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2912字
• 语种: 中文

摘要

采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶ Al透明导电薄膜.研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响.研究表明:退火有助于减小Al~(3+)对Zn~(2+)的取代造成的晶格畸变,消除应力,促进晶粒长大,有效提高电子浓度和迁移率,降低电阻率;当溅射功率为80 W、退火温度为320 ℃时,薄膜的电阻率可低至8.6×10~(-4) Ω·cm;退火气氛对薄膜的导电性能有较大影响,真空退火可使吸附氧脱附,大大降低薄膜的方块电阻.而退火温度和退火气氛均对ZnO∶ Al薄膜的透光率没有明显影响,薄膜的透光率在86%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任明放	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	29	138	6.0	10.0
2	王华	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	98	463	13.0	17.0
3	许积文	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	68	171	6.0	10.0
4	杨玲	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	35	103	6.0	8.0