气压对 PLD 法在AlN/Si 上外延生长的GaN性能的影响?

• 作者: 朱运农 李国强 杨为家 王文樑 王海燕
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 气压 脉冲激光沉积 GaN
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 16-21
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在AlN/Si异质结上外延生长GaN薄膜.研究了气压对GaN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用高分辨 X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对 GaN薄膜的结构性能及表面形貌等进行表征和分析.结果表明：气压在1~50 mTorr 范围时,GaN薄膜的表面形貌及结构性能均是先好后差；当气压在最佳值10 mTorr 时,外延生长的 GaN薄膜质量最优,其(0002)和(1012)面的高分辨 X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)分别为0.7°和0.8°；原子力显微镜测试得到 GaN薄膜表面的粗糙度为1.8 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国强	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	22	104	4.0	9.0
5	王海燕	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	19	377	8.0	19.0
6	杨为家	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	4	3	1.0	1.0
7	王文樑	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	6	6	2.0	2.0
8	朱运农	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0