在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

• 作者: 刘喆 刘宏新 张南红 曾一平 李晋闽 王俊 王军喜 王启元 王晓亮 肖红领
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MBE γ-Al2O3 缓冲层
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2378-2384
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.021

摘要

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.