ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上GaN的生长

• 作者: 刘治国 周玉刚 张荣 施毅 李卫平 殷江 毕朝霞 沈波 郑有炓 陈志忠 陈鹏 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN ZnAl2O4 MOCVD X射线衍射(XRD) 扫描电子显微镜(SEM)
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1025-1029
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.015

摘要

研究了直接在ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜．利用脉冲激光淀积法在α-Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜，对ZnO/α-Al2O3样品在1100℃退火得到了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底，并在此复合衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了纤锌矿结构GaN．X射线衍射谱表明反应得到的ZnAl2O4层为（111）取向．扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于30min增加到20h,ZnAl2O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构，相应的GaN X 射线衍射谱表明GaN由c轴单晶变为多晶，单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°．结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核，从而提高了GaN的晶体质量．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷江		9	81	2.0	9.0
2	陈鹏		57	921	13.0	30.0
3	施毅		103	490	13.0	17.0
4	郑有炓		78	353	11.0	15.0
5	顾书林		46	261	9.0	14.0
6	张荣		134	576	13.0	17.0
7	沈波		34	136	7.0	10.0
8	毕朝霞		3	13	2.0	3.0
9	周玉刚		9	15	2.0	3.0
10	李卫平		3	1	1.0	1.0
11	陈志忠		3	1	1.0	1.0
12	刘治国		18	114	4.0	10.0