高性能X波段增强型凹栅Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT

• 作者: 刘辉 孙朋朋 张蓉 罗卫军 耿苗 马晓华
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 增强型 GaN MIS-HEMTs 电容-电压(C-V) 功率
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 页码范围: 94-98
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

在蓝宝石衬底上制备了栅长Lg为0.25 μm的增强型Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蚀凹栅与ALD(原子层淀积)Al2 O3介质层的方法研制器件.研制的增强型MIS HEMT器件的阈值电压为+2.2V,饱和电流为512.3 mA/mm.通过变频交温C-V方法测试提取的Al2O3介质层与AlGaN势垒层之间的界面态密度相应于能级范围(Ec-0.35)eV～(Ec-0.65)eV从8.50×1012 cm-2 eV-1减小到9.73×1011 cm-2 eV-1.另外,研制器件展示了突出的射频性能,其截止频率(fr))为30.5 GHz,最高振荡频率(fmax)为71.5 GHz.连续波测试模式时,该器件在8 GHz频率下,饱和输出功率密度为1.7 W/mm,相应附加功率效率为32.6％.展现出凹栅增强型MIS-HEMT在X波段射频电路中的应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马晓华	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	40	140	7.0	8.0
2	刘辉	中国科学院微电子研究所	70	395	10.0	17.0
6	罗卫军	中国科学院微电子研究所	17	35	4.0	5.0
10	孙朋朋	中国科学院微电子研究所	3	4	1.0	2.0
14	张蓉	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	4	1.0	2.0