Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构仿真研究

• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 AlGaN/GaN HEMT 高电子迁移率晶体管 Ka 波段 仿真
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态电子器件
• 页码范围: 859-863
• 页数: 5页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2882字
• 语种: 中文

摘要

为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对fmax,栅场板对fT、fmax和内部电场的影响.根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15～0.25 μm;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10～20 nm;为了提高fmax,栅金属厚度应大于0.4 μm;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3～0.4 μm左右.仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研究具有参考意义.