AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真

• 作者: 孙玲玲 董林玺 钟红生
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 自加热效应 热分析
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2011.03.001

摘要

该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立A1GaN/GaNHEMT器件二维模型.针对自加热效应,在不同的直流偏置电压下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行了二维数值分析,获得相应的热形貌分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学电子信息学院	68	213	8.0	9.0
2	董林玺	杭州电子科技大学电子信息学院	22	104	6.0	8.0
3	钟红生	杭州电子科技大学电子信息学院	1	2	1.0	1.0