AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析

• 作者: 张进城 王冲 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 微波功率器件 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 234-236
• 页数: 3页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.02.016

摘要

以蓝宝石为衬底研制出栅长1μm AlGaN/GaN HEMT导160mS/ mm,栅压.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3.19Ω·mm)限制了器件性能进一步提高,需提高肖特基接触的势垒高度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
3	王冲	西安电子科技大学微电子研究所	17	107	7.0	9.0