凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析

• 作者: 任春江 薛舫时 陈堂胜 陈辰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 场板 凹槽栅 动态测试
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 407-410
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.104

摘要

研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时		10	25	3.0	4.0
2	陈堂胜		12	76	6.0	8.0
3	任春江		7	31	3.0	5.0
4	陈辰	南京大学物理系	8	39	4.0	6.0