一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构

• 作者: 信亚杰 孙瑞泽 李佳 陈万军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 沟道温度 混合势垒层
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 页码范围: 27-31,36
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟道电场来降低沟道温度.该结构采用混合势垒层设计,将栅极下方的势垒层分为两层,上层采用AlN,下层采用重掺杂的AlGaN;此外,该结构还使用场板;为了更好的散热,该结构采用热导率更高的A1N代替传统的Si3N4作为器件的钝化层.场板和混合势垒层有利于改善沟道电场,降低器件沟道温度.仿真结果表明,相比于传统结构,新结构的沟道温度分布更加均匀,温度峰值下降47 K.此外,新结构的击穿电压提高50％,输出特性也得到了改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈万军	电子科技大学电子科学与工程学院	18	128	4.0	11.0
2	李佳	电子科技大学电子科学与工程学院	3	7	1.0	2.0
3	孙瑞泽	电子科技大学电子科学与工程学院	2	4	1.0	2.0
4	信亚杰	电子科技大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0