新型结构的HEMT优化设计

• 作者: 刘剑 周伟坚 程知群 胡莎
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 高速电子迁移率管 线性度 二维电子气 跨导 复合沟道
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN401
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2012.01.004

摘要

该文通过对HEMT物理模型的分析及对之前所设计的HEMT结构的总结,利用TCAD进行仿真,分析了器件中2DEG电子浓度和电子迁移率以及栅漏电流随In含量的变化规律.提出了一种新型结构Al0.3Ga0.7 N/AlN/GaN/In0.1 Ga0 9 N/GaN HEMT,并对栅长0.25μm和栅宽100μm的器件进行了优化设计,器件的栅压为1V时,阈值电压-5.3V,最大漏电流为2 220mA/mm,获得最大跨导为440mS/mm,且在-3.5～-0.5V范围内跨导变化量很小,说明优化后的器件具有良好的线性度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程知群	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	54	172	6.0	10.0
2	刘剑	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
3	胡莎	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	3	7	1.0	2.0
4	周伟坚	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	3	2	1.0	1.0