采用碳纳米管改善GaN HEMT器件结构散热

• 作者: 吴宗刚 张国斌 赵妙
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: GaN HEMT 碳纳米管 倒装 散热
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 页码范围: 95-98
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

自热效应是影响GaN HEMT器件特性的一个重要因素.本文我们对比研究了不同衬底的GaN HEMT器件传统封装、倒装结构的热特性,并采用高热导率的碳纳米管改善倒装器件散热.从仿真结果看,倒装结构对器件的散热能力有一定提升,而碳纳米管又增强了的倒装结构的散热能力.采用碳纳米管的倒装结构使得以蓝宝石,硅和碳化硅为衬底的器件总热阻分别降低了77.1％、50.6％、32.9％.因此,碳纳米管能够改善倒装结构的散热,并增强器件的特性和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国斌	中国科学院微电子研究所	44	298	10.0	15.0
5	赵妙	中国科学院微电子研究所	5	20	3.0	4.0
6	吴宗刚	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0